在半導(dǎo)體器件的制造中，歐姆接觸是實(shí)現(xiàn)高性能電路的核心技術(shù)之一。

RTP技術(shù)能夠有效修復(fù)晶格損傷，提供更加穩(wěn)定、均勻的歐姆接觸，確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。

一、氮化鎵（GaN）歐姆接觸

氮化鎵（GaN）材料因其寬禁帶和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)的特性，在功率電子和射頻器件中備受關(guān)注，但其歐姆接觸的形成極具挑戰(zhàn)：

1.高勢(shì)壘問題

GaN的寬禁帶性導(dǎo)致金屬與半導(dǎo)體界面存在高勢(shì)壘，傳統(tǒng)退火工藝無法有效降低接觸電阻

2.金屬選擇局限

傳統(tǒng)金屬（如Ti/Al/Ni/Au）需通過退火觸發(fā)化學(xué)反應(yīng)，形成低勢(shì)壘合金（如TiN、AlGaN等）

3.熱敏感性與工藝失衡

GaN在高溫下易分解，而低溫又無法激活金屬/GaN界面反應(yīng)

良好的歐姆接觸圖形邊緣應(yīng)保持平整，電極之間不應(yīng)存在導(dǎo)致短路的金屬粘合，退火完成后不會(huì)出現(xiàn)金屬的側(cè)流。

*（左）退火前歐姆接觸形態(tài) （右）退火后歐姆接觸形態(tài)（圖源網(wǎng)絡(luò)，侵刪）

在對(duì)GaN歐姆接觸進(jìn)行退火處理時(shí)，退火溫度的控制尤為重要，溫度精準(zhǔn)度差會(huì)導(dǎo)致電阻率的增加以及電流的減小。

*比接觸電阻率與退火溫度的函數(shù)關(guān)系（圖源：知網(wǎng)，侵刪）

其中，退火溫度過高可能導(dǎo)致氮化鎵材料的損傷或金屬電極的熔化；溫度過低時(shí)會(huì)導(dǎo)致金屬與半導(dǎo)體之間形成較高的勢(shì)壘，阻礙載流子的傳輸。

二、晟鼎RTP快速退火爐優(yōu)勢(shì)

針對(duì)制成GaN歐姆接觸的難點(diǎn)，晟鼎RTP快速退火爐提供以下解決方案：

1.精準(zhǔn)的溫度-時(shí)間控制：

滿足GaN的熱敏感性，可減少金屬層在高溫下的擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)，抑制界面過度反應(yīng)

2.強(qiáng)大的溫場(chǎng)管理系統(tǒng)：

良好的溫度重現(xiàn)性與溫度均勻性，避免接觸電阻分布不均

3.熱預(yù)算低，升溫速率快：

升溫速率可達(dá)150℃/s，制程范圍覆蓋200-1250℃，有效節(jié)省工藝時(shí)間和熱預(yù)算成本

4.動(dòng)態(tài)氣體調(diào)控：

晟鼎RTP快速退火爐最多可配置6組工藝氣體，實(shí)現(xiàn)退火腔室內(nèi)氣體的快速切換，確保退火處理的穩(wěn)定性